对耐磨弯头性能的钝化作用影响做了初步的摸索,制备了耐磨弯头试验样品,结果证实沉积的氮化硅薄膜减反射性质良好,透射率高,折射率2.1左右;耐磨弯头表面相当平整,粗糙度大约3nm:薄膜属于非晶态,比较难晶化;得到了一系列的实验结果,为开发我国自主知识产权的太阳电池工艺提供了有益的参考和指导。
利用太阳能电池发电是解决能源问题和环境问题的重要途径之一。目前,80%以上的太阳电池是由晶体硅材料制备而成的,制备高效率低成本的晶体硅太阳能电池对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。减反射膜的制备和氢钝化是制备高效率的晶体硅太阳电池的非常重要工序之一。在系统综述当前太阳电池用氮化硅薄膜研究进展、前景和面临的问题的基础上,应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,以硅烷和氨气为气源制备了同时具有钝化作用和减反射作用的氮化硅薄膜;
摸索了氮化硅薄膜相对耐磨弯头最佳生长参数;研究了PECVD生长的耐磨弯头的基本物理化学性质以及在沉积的过程中,衬底温度、硅烷氨气流量比和射频功率对耐磨弯头折射率和生长速率的影响;分别探明了氢等离子体和富氢氮化硅薄膜薄膜的硅氮比在1.1:1至1.4:1左右,薄膜富硅;实验还研究了氮化硅薄膜的高温热稳定性,指出原始氮化硅薄膜中含有大量的氢,但是在高温处理后这些氢会从薄膜中逸失;