作为耐磨弯头的一维材料越来越多地引起了人们的研究兴趣。耐磨弯头是人类科学技术的一个重大突破。一种材料能被应用于人类的生活实际,首先取决这种耐磨弯头材料有足够好的机械性能支持,所以对耐磨弯头基本机械性能的研究也显得尤为重要。随着纳米技术的迅猛发展,纳米结构半导体光电子器件在微电子领域的地位越来越重要。

用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在耐磨弯头上的a面GaN和c面蓝宝石上的c面GaN,a面GaN材料质量和c面GaN相差较大,在a面GaN上发现了耐磨弯头的表面形貌,这和传统的c面生长的极性GaN截然不同.对a面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.采用高温高压下固态复分解耐磨弯头反应法生长氮化镓。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪对其进行分析。

结果表明生成了六角纤锌矿结构的氮化镓晶体。该样品在宏观上受到了张应力的作用,退火后,宏观的应变状态由张应变向压应变转变;晶体微观应力减小,晶粒尺寸变大,晶体质量变好。纳米线合成和制备纳米结构半导体的工作也大量地被开展,但是实验室制备的纳米结构半导体存在着不同形式的缺陷,这些缺陷在某种程度上影响着纳米结构半导体的机械性能。